原子層沉積系統(tǒng)是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現到大基片上。 原子層沉積系統(tǒng)特點：是一款獨立的PC計算機控制的ALD，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權保護功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。應用領域包含半導體、光伏、MEMS等。系統(tǒng)提供12”的鋁質反應腔體，帶有加熱腔壁和氣動升降頂蓋，非常方便腔體的訪問和清潔。該系統(tǒng)擁有一個載氣艙包含多達7個50ml的加熱汽缸，用于前驅體以及反應物，同時帶有N2或者Ar作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
選配：系統(tǒng)的選配項包含自動L/UL上下載(用于6”基片)，ICP離子源(用于等離子增強的PEALD)，臭氧發(fā)生器，等等。
應用：
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應用.
Nano laminates納米復合材料
隨著原子層沉積技術與其他先進技術不斷融合以及人們對原子層沉積設備的不斷改進，諸如“等離子體增強原子層沉積技術”、“空間式原子層沉積技術”、“流化床原子層沉積技術”等新型原子層沉積技術逐漸出現并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術所面臨的諸多難題。
在過去二十多年，等離子體增強原子層沉積技術發(fā)展迅速。通過巧妙設計等離子體引入方式，人們已經設計出各種等離子體增強原子層沉積設備。
從文獻報道來看，針對太陽能光伏領域的應用，一套成熟的空間式原子層沉積設備需保證每小時超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產能力。由于空間式原子層沉積設備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計時間，僅取決于襯底或前驅體噴嘴在兩個半反應區(qū)間移動所需的時間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數量，若能保證1s通過一個這樣規(guī)格的Si片，目前的設計*可以滿足工業(yè)化應用需求。此外，針對柔性襯底表面沉積時，采用轉動式的反應器設計，同樣能將沉積速率提升至1.2nm/s。
原子層沉積技術經過四十多年的發(fā)展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴展與改進上，都已經取得了長足進步，在眾多領域更是展現出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。
